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2024年10月14日 · 近日,扬州大学丁建宁教授团队联合隆基绿能等团队在新一期国际知名学术期刊Nature（《自然》）杂志上刊文"Silicon heterojunction back contact solar cells by laser patterning",公开报道了通过激光优化流程,制备低成本高效背接触晶硅太阳电池的研究成果。 本文介绍了一种利用激光技术制备高效背接触硅异质结太阳能电池的方法,实现了27.3%的效
了解更多硅衬底的图形化是指利用标准光刻联合干湿法蚀刻工艺在硅衬底表面制备具有特殊图形的方法.图形化硅衬底广泛应用于太阳能电池,LED和MEMS加工等领域,其在降低硅衬底表面反射率,提升太阳能电池光电转换效率方面极具优势.针对目前图形化硅衬底在TMAH溶液
了解更多2013年8月7日 · 一种图形化的太阳能电池用Ge衬底湿法化学制备方法,涉及太阳能电池用Ge衬底的制备技术,先采用MOCVD在EPI-readyGe衬底上生长一层GaInP；然后对待光刻的衬底进行涂胶、匀胶和前烘处理；将掩模版与衬底对准安装；投影曝光；显影,坚膜处理；先后
了解更多2023年3月16日 · 本文通过金属有机化合物化学气相沉积(metal organic chemical vapor deposition, MOCVD) 技术在(001)面图形化蓝宝石衬底(patterned sapphire substrate, PSS) 上生长和制备了高In 组分高质量的AlGaN-InGaN/ GaN MQWs-AlGaN 双势垒结构的太阳能电池。 相比于只生长AlGaN 电子阻挡层的太阳能电池, 含有AlGaN双势垒结构的太阳能电池的晶体质量更好, 且In 组
了解更多2020年10月20日 · 图形化的pi膜支撑衬底,兼具pi膜衬底与金属衬底的优点,具有重量轻,导热性高、易贴附等优点；同时将pi膜图形化,有利于热应力的释放,降低外延层与支撑衬底的脱离,可以大幅提高产品良率及利于制作大面积芯片（参见表1）；另外,将pi膜图形化,可以
了解更多2023年9月23日 · 专利摘要显示,本申请提供一种新颖的太阳能电池制备中的图形化方法,包括：对设于硅衬底上的第一名掺杂层进行局部激光激活,使第一名掺杂层形成第一名非激光激活区和掺杂浓度高于第一名非激光激活区的第一名激光激活区；对第一名掺杂层进行湿式热氧化
了解更多摘要:采 用纳米压印和反应离子刻蚀技术,通 过实验研究反应离子刻蚀时间与GaN 纳米柱高度的相关性,成 功地在Si基GaN 衬底上制备出了GaN 纳米柱图形化衬底。 SEM 表征分析发现在图形化衬底上所制备的GaN 纳米柱形貌均匀、排列整齐;室 温光致发光光谱分析发现GaN 纳米柱图形化衬底与GaN 材料相比带边发光峰出现2.1nm 的红移,发光强度增强。 研究结果表明GaN...
了解更多2017年11月30日 · 实验发现,使用图形化衬底生长的材料的质量优于普通蓝宝石衬底,相应的太阳能电池器件的光电转换效率更高。 此外,相同衬底上,随着In组分的提高,电池的转换效率也相应提高。
了解更多2015年7月9日 · 第14届中国光伏大会（CPVC14）论文集 227 基于纳米图案化衬底的非晶硅薄膜太阳能 电池：结构设计和光/电耦合模拟 （1.中国科学院上海高等研究院,上海201210； 2.电子及计算机工程学系,中国香港九龙清水湾） 要：薄膜太阳能电池性能的高低取决于其
了解更多2022年8月17日 · 利用较薄的光吸收层充分吸收太阳光是薄膜太阳电池的一大难点.本文利用有限时域差分法(FDTD)计算并设计了一种以图形化铝片为衬底的非晶硅薄膜太阳电池,通过调节图形化衬底的特征尺寸,实现了宽光谱的吸收增强,并通过实验进行了验证.图形化衬底一
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