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2018年3月21日 · 根据美国标准EIA-198-D,在用字母或数字表示陶瓷电容器的温度性质有三部分：第一名部分为（例如字母C）温度系数α的有效数字；第二位部分有效数字的倍乘（如0即为100）；第三部分为随温度变化的容差（以ppm/℃表示）。 这三部分的字母与数字所表达的意义如
了解更多硅电容器和多层陶瓷电容器（MLCC）的比较： 相比多层陶瓷电容器（MLCC）,硅电容器具有更优秀的DC偏置特性和温度特性。 其利用薄膜半导体技术,可实现更薄的外形。
了解更多2 天之前 · 硅电容器与半导体MOS工艺源自相同的DNA,具有以经过验证的一致性数据建立的全方位模块默认模型,因此提供了可预测、极为可信赖的性能。 相较于其他电容器技术,硅电容器技术在可信赖性方面提高了10倍,这主要得益于在高温固化过程中生成的氧化物。
了解更多2018年3月24日 · 根据美国标准EIA-198-D,在用字母或数字表示陶瓷电容器的温度性质有三部分：第一名部分为（例如字母C）温度系数α的有效数字；第二位部分有效数字的倍乘（如0即为100）；第三部分为随温度变化的容差（以ppm/℃表示）。 这三部分的字母与数字所表达的意义如
了解更多硅电容器的安装方法有焊接安装和引线键合安装两种。 焊接安装产品适合高密度安装,而引线键合安装产品则适合与IC等其他元器件一体化封装的应用。
了解更多2022年6月17日 · 硅电容器是利用半导体工艺制作的电容器,电介质材料使用硅的氧化物和氮化物。 其具有高可信赖性、高稳定性、耐高温、高频、嵌入式、超薄性等优点,在施加电压和温度变化时,电容量能保持稳定,由于不具有压电效应,所以电压发生变化不会引发啸叫。
了解更多2024年3月5日 · 当前常见的电容器按照制造工艺主要有陶瓷电容,电解电容和薄膜电容。 硅电容和这些传统的电容相比主要就是使用的原材料不同以及工艺不一致,顾名思义,硅电容是以硅作为材料,通过半导体的工艺进行制造。
了解更多2023年8月23日 · 陶瓷电容器(ceramic capacitor;ceramic condenser )又称为瓷介电容器或独石电容器。 很好理解,就是以高介电常数、低损耗的陶瓷材料为介质,在陶瓷基体两面喷涂银层,然后高温烧成银质薄膜作电极焊上引线,外表面涂上保护磁漆或者用环氧树脂封装而成;其容量大小由
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