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测评贴片电容性能,从三个方面进行,首先是贴片电容的四个常规电性能,即容量Cap. 损耗DF,绝缘电阻IR和耐电压DBV,一般地,X7R产品的损耗值DF<=2.5%,越小越好,IR*Cap>500欧*法,BDV>2.5 Ur.其次是贴片电容的加速寿命性能,在125deg.c环境温度和2.5Ur直流负载条件下,芯片应能耐100小时不击穿,质量好的可耐1000小时不击穿。 再次就是产品的耐热冲击性能,将电容浸入300deg.c
了解更多2021年9月29日 · DCS 型半导体圆片瓷介电容器的陶瓷芯片属于表面层半导体结构,其电容器具有大容量、小 体积等特点,适用于滤波、旁路、耦合等电路中。 This disc ceramic capacitors belong to surface layer semi-conductive construction,have characteristics
了解更多2014年7月10日 · 用途： CCI 型 1 类瓷介电容器 Q 值高, 容量稳定。 用于谐振回路和需要补偿温度效应的电路中。 型号示例： 尺寸及引线形式示意 型号 电压 容量 V pF 50V30 50 3 50V50 5 50V100 10 50V150 15 50V180 18 50V200 20 50V240 24 50V330 33 50V470 47 50V680 68 50V101 100. 2 p. 30 p. 10 p. 19 p. 14 p. 16 p. 3 p. 5 p. 7 p. 1、天气逐渐变冷,大家注意保暖！
了解更多风华圆片瓷介电容规格-风华高科全方位系列最高新版圆片瓷介电容器规格书,包括CC81和CT81高压瓷片电容系列、CT7交流瓷片电容、CS1系列半导体介质、CT1系列低压高介电常数电容、CC1低压温度补偿型等,内容包含型号识别方法、封装与外形尺寸、管脚与引线
了解更多2018年9月10日 · 圆片陶介电容器是一种芯片介质主要为钛酸钡,并用烧渗法将金属镀在陶瓷上作为电极制成,有 环氧树脂包封和酚醛树脂包封两种,按其介质特性可分为Ⅰ类温度补偿型、Ⅱ类高介电常数型；Ⅲ类
了解更多瓷片电容(ceramiccapacitor)又称瓷介电容是圆片瓷介电容器的简称,用高介电常数的电容器陶瓷(钦酸钡一氧化钦)挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质,在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜,并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成的电容器。
了解更多2023年3月20日 · 瓷介电容器的静电容量易受温度影响,由后面的温度特性曲线可知道：Ⅰ类产品的容易受温度影 响相对偏小,Ⅱ类、Ⅲ类产品容量受温度影响呈非线性变化,因此进行容量测试前要把产品在国标规
了解更多2018年4月29日 · 电容器容量范围从100pF 到100000pF。 中、 高压陶瓷电容器具有耐直流高压的特点。 适用于高压旁路和耦合电路中,其 中的低损耗高压圆片瓷介电容器具有较低的介质损耗,特别适合在电视接收面的行扫描等电路中使用。
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