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2017年12月13日 · 基于二维钙钛矿的阻变存储器能够工作在10pA极低电流下工作,其性能优于前人报道的性能。 在实验中,研究人员首先采用原子力显微镜结合透射电子显微镜和能谱仪观察到了二维钙钛矿中~20nm直径的纳米导电细丝,并且发现了Br - 离子移动形成Br - 空位的证据。
了解更多2023年3月2日 · 研究基底类型、钙钛矿制备工艺和存储环境对电 池光电性能的影响,有助于进一步提升电池效率 和工艺重复性。本文以基于SnO 2电子传输层的n-i-p结构钙钛 矿太阳能电池为研究对象,结合两步旋涂工艺制 备钙钛矿,系统地研究了影响电池效率和工艺重
了解更多2021年8月20日 · 首次实现了一个快速的、全方位钙钛矿发光存储器（LEM）,通过将这样两个相同的器件串联在一起,以5 kHz的频率运行,其中一个作为RRAM电读编码的数据,而另一个作为LEC,同时进行平行的、非接触的光学读取。
了解更多2023年1月24日 · 高效光电调控全方位无机钙钛矿RRAM技术推动了高密度信息存储器的快速发展。 关键词: 钙钛矿, 光电调控, 阻变存储器, CsPbBr 3, 离子迁移. Abstract: Photoelectric resistive switching memory (RRAM) is the most promising competitor in the next generation of...
了解更多2021年3月29日 · 西安电子科技大学微电子学院常晶晶研究团队为更好理解卤化物钙钛矿的阻变存储器(Resistive random access memory, RRAM）的阻变机理对器件的影响,对其研究进展进行了综述,相关文章在《Infomat》上发表,并被选为封面文章。 物联网时代的到来,导致大量存储和处理数据问题的出现。 传统的硅基非易失性存储器微型化接近极限,研究人员正在寻找新的结
了解更多2014年10月26日 · 根据这一见解,我们简要研究了钙钛矿材料系统切换的不同影响。还讨论了器件结构和有源氧化层的厚度对电阻开关特性以及存储器性能的影响。根据这一见解,我们简要研究了钙钛矿材料系统切换的不同影响。
了解更多2024年12月17日 · 图2 脱粘后钙钛矿的可视化表征；© Springer Nature Limited 2024 随后,研究人员将脱粘后的钙钛矿,进行了不同的成像表征,以可视化不同Pero-MeOx界面中埋藏的钙钛矿,并总结了从图像中提取的参数。利用扫描电镜（SEM）和原子力显微镜（AFM）显示了
了解更多2023年12月25日 · 摘 要：近年来,卤素钙钛矿阻变存储器由于在柔性可穿戴设备上的潜在应用而开始受到研究者们的广泛关注。 然而, 这种材料能否最高终实现产业化还取决于其阻变器件是否具备可微缩特性。
了解更多在信息发展飞快的时代,对信息存储的要求越来越高,传统的闪存已经满足不了现在的需求,需要寻找新型的替代品.与其他新兴的替代器件相比,阻变存储器(RRAM)展现出功耗低,切换速度快,保持特性久,双端结构简单,集成密度高以及与互补金属氧化物半导体(CMOS
了解更多2024年3月27日 · 本文主要研究了基于钙钛矿的电光调谐可阻变存储器技术。 研究人员通过优化钙钛矿薄膜中晶粒大小和晶界数量,提高了存储器的性能。 他们在MAPbI3三
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