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2019年9月9日 · 村田的高密度硅电容器通过应用半导体的MOS工艺实现三维化,大幅增加电容器表面积,从而提高了基板单位面积的静电容量。适用于网络相关（RF功率放大器、宽带通信）、高可信赖性用途、医疗、汽车、通信等领域。 村田硅电容器产品一览
了解更多村田制作所的官方产品详细页面。可浏览 硅电容器 939118493547-xxN 的很新数据表、外观形状、规格、用途、包装信息等。规格:系列名=XBSC,用途=Broadband,特性=High Frequency,贴装方法=Solder Mounted,工作温度范围=-55℃ to 150℃,尺寸代码(单位为inch
了解更多新型 UBC 550Z、550U 和 550L 系列电容器针对高性能、超宽带微波和毫米波 RF 应用进行了优化,具有坚固、紧凑的单件、表面贴装、多层陶瓷结构,并具有超低插入特性损耗、优秀的回波损耗、平坦的频率响应和高重复性。 南卡罗来纳
了解更多2020年11月26日 · 村田的硅电容器尤其适合超宽带 传输的光通信设备。通过硅电容的独特构造,能够适应温度及电压变化的电容量稳定性,高电容密度与高超的集成化技术。 针对信号完整性的提高及小型化需求,村田能够提供非常好的解决
了解更多2021年11月30日 · 村田的高密度硅电容器,通过应用半导体的MOS工艺实现三维化,大幅增加电容器表面积,从而提高了基板单位面积的静电容量。 适合的市场细分 网络相关（RF功率放大器、宽带通信）、高可信赖性用途、医疗、汽车、通信。
了解更多针对使用陶瓷电容器时产生的啸叫问题,本产品在材料和构造方面进行完善,是一款可减少啸叫的产品。 弯曲裂纹对策产品 该电容器的设计,可尽量避免由于电路板弯曲产生裂纹而导致的短路故障。 减少焊接裂纹的产品 该电容器在元件上连接了金属端子及引线。
了解更多2021年7月8日 · 这款独特的集成器件建立在超深沟槽式的MOS工艺硅电容上,可发挥特有性能,提供低插入损耗和反射损耗以及UBDC最高高为60GHz,BBDC最高高为40GHz、ULDC最高高为20GHz的相位稳定性。 该电容器彻底面兼容高速自动化
了解更多但众所周知,若以大功率输出宽带信号,功率放大器模块（PAM）内将会出现互调失真（IMD）问题,降低信号完整性。 ... 此外,村田的硅电容器通过专有的技术实现了小型和大容量,而且采用了温度补偿材料,因此即使在高温环境下也能稳定工作。
了解更多2024年9月19日 · 村田 开始量产村田首款、1608M尺寸、静电容量可达100μF的多层陶瓷电容器 2024/5/29 村田 薄型、大容量及低ESR 4.5mΩ的导电聚合物铝电解电容器实现商品化
了解更多2020年11月26日 · 村田的硅电容器尤其适合超宽带 传输的光通信设备。通过硅电容的独特构造,能够适应温度及电压变化的电容量稳定性,高电容密度与高超的集成化技术。 针对信号完整性的提高及小型化需求,村田能够提供非常好的解决方案,包括以下三个方面
了解更多汕头高新区松田实业有限公司（STE,简称：松田电子）位于中国广东省汕头市高新区。是中国专业制造陶瓷电容器、薄膜电容器、压敏电阻器和热敏电阻器的最高大型民营科技企业之一。中国电子百强企业,高新技术企业,广东民营科技企业
了解更多2020年8月11日 · 此外,硅电容器实现了−55°C to 150°C的广泛工作温度范围。 生产线采用经过超过900°C的高温退火处理而获得的高纯度氧化膜,能够彻底面控制,确保高度的可信赖性和再现性。
了解更多2024年10月15日 · 村田高密度硅电容器采用半导体MOS工艺开发,并使用3D结构来大幅增加电极表面,因此在给定的占位面积内增加了静电容量。村田的硅技术以嵌入非结晶基板的单片结构为基础（单层MIM和多层MIM—MIM是指金属 / 绝缘体 / 金属）。
了解更多村田制作所的官方产品详细页面。可浏览 硅电容器 935152422522-xxS 的很新数据表、外观形状、规格、用途、包装信息等。规格:系列名=UBSC,用途=Broadband,特性=High Frequency,贴装方法=Solder Mounted,工作温度范围=-55℃ to 150℃,尺寸代码(单位为inch
了解更多2019年9月9日 · 村田的高密度硅电容器通过应用半导体的MOS工艺实现三维化,大幅增加电容器表面积,从而提高了基板单位面积的静电容量。 适用于网络相关（RF功率放大器、宽带通信）
了解更多村田制作所的官方产品详细页面。可浏览 单层微片电容器 CLB05B5220K1000TC1 的很新数据表、外观形状、规格、用途、包装信息等。规格:形状=SMD,工作温度范围=-55℃ to 125℃,长x宽=L 0.50 X W 0.50mm,厚度=0.24mm,额定电压=100Vdc,静电容量(25℃)=22pF
了解更多2024年3月19日 · 村田高密度硅电容器采用半导体MOS工艺开发,并使用3D结构来大幅增加电极表面,因此在给定的占位面积内增加了静电容量。村田的硅技术以嵌入非结晶基板的单片结构为基础（单层MIM和多层MIM—MIM是指金属 / 绝缘体 / 金属）。
了解更多2020年11月26日 · 村田的硅电容器尤其适合超宽带传输的光通信设备。 通过硅电容的独特构造,能够适应温度及电压变化的电容量稳定性,高电容密度与高超的集成化技术。
了解更多2024年10月15日 · 村田高密度硅电容器采用半导体MOS工艺开发,并使用3D结构来大幅增加电极表面,因此在给定的占位面积内增加了静电容量。村田的硅技术以嵌入非结晶基板的单片结构为基础（单层MIM和多层MIM—MIM是指金属 / 绝
了解更多2020年11月26日 · 村田的硅电容器尤其适合超宽带传输的光通信设备。 通过硅电容的独特构造,能够适应温度及电压变化的电容量稳定性,高电容密度与高超的集成化技术。
了解更多2016年7月6日 · 宽带电容器：ATC520L宽带多层电容、ATC530Z系列宽带多层电容、ATC530L宽带多层电容。 0755-82519619 网站首页 知名品牌中心 兆易创新 顺络Sunlord ADI亚德诺 村田murata 国巨yageo TDK ATC
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