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2020年6月8日 · 摘要： HfO 2 基铁电电容器,特别是TiN/Hf x Zr 1-x O 2 /TiN金属-绝缘体-金属电容器,由于其良好的稳定性、高性能和互补金属氧化物半导体(CMOS)兼容性,在新一代非易失性存储器中有着广阔的应用前景。 由于TiN/Hf x Zr 1-x O 2 /TiN电容器的电性能与Hf x Zr 1-x O 2 铁电薄膜与TiN电极层界面质量相关,因此控制TiN
了解更多2021年4月2日 · 摘要： 本发明提供了一种铁电电容器结构,包括:衬底层(1),以及依次叠设于所述衬底层(1)上的缓冲层(2),第一名电极(3),介质层(4)和第二电极(5),所述衬底层(1)为柔性衬底,所述介质层为HfO2铁电介质.本发明还提供了一种该铁电电容器结构的制备方法.本发明通过在柔性衬底上生长一层缓冲层,使得表面粗糙度
了解更多2023年8月4日 · 1.本发明涉及半导体制造领域,特别涉及一种铁电电容器及其制造方法。背景技术： 2.随着新能源生产和处理技术的发展,大功率电力储能系统成为先进的技术储能技术的关键,大功率电力储能系统可以包括电化学电容器和静电电容器,一般情况下,电化学电容器单位质量的储能约比静电电容器大2～3个
了解更多2005年9月9日 · 铁电电容之所以具有不同于普通电容的性质, 就是因为其电畴电容. 实际的铁电电容的漏电流一 般很小,因此常使用图1(b) 所示的铁电电容等效电 路. 图1 铁电电容的等效电路 Fig. 1 Equivalent circuit of ferroelectric capacitors 3 铁电电容新模型
了解更多2023年1月19日 · 铁电材料是未来实现新型存储技术的有力候选材料之一。铁电体中的带电畴壁厚度仅有亚纳米,同时具有重要的传输特性,能够作为纳米电子学中的关键元件。精确确地创建和操纵带电畴壁,对于其功能特性的实现至关重要。浙江大学材料科学与工程学院张泽院士、田鹤教授团队与新加坡国立大学材料
了解更多2011年11月22日 · 第二年,RamUon公司使用这种方法实现了铁电存储器的商业化生产 p…。由于铁电电容的性能不稳定,以及铁电工艺和传统半导体工艺的兼容问题,当时铁电 存储器的集成度很小。 到了九十年代后期,随着铁电工艺技术的提高,铁电存储器的集成度
了解更多2022年2月9日 · 然而,如何实现铁电薄膜电容器在半导体硅上的集成对于其实际应用至关重要,这就需要尽可能的降低其热处理温度（最高好能够低于400°C）,同时仍能保持优秀的储能性能。 我们最高新的研究表明,通过在硅基底上引入导电、晶格匹配的 LaNiO3 缓冲
了解更多2019年9月5日 · 目前评价铁电电容器的储能密度有两种主要方法。 1.1 电滞回线测试法 对铁电介电材料来讲,充放电过程的能量密度可以通过对其电滞回线积分得到： 2 2 eff 1 W EdP E (1) 式中,W 为能量密度,E 为电场强度,P 为电极化强度, eff 为有效介电常数
了解更多2001年1月1日 · 摘要 推导了铁电电容器模型,并在SPICE（PSPICE和HSPICE）仿真工具中实现了铁电器件库。使用此 SPICE 模型,可以精确实时地模拟 1T-1C/2T-2C 或任何其他铁电电路,例如 FeFET、链式电池、链接电池。本文显示了磁滞回线、TVS、开关特性的
了解更多摘要： 在论文中,进行了三个相关的创新性工作:建模,优化和设计.首先,在对铁电电容模型发展进行调研的基础上,提出了一个新的铁电电容模型--非线性双电容模型.在该文中,电路的优化和仿真都是基于这个模型进行.其次,针对1T/1C FeRAM设计中的困难,即它的读出窗口只有2T/2C FeRAM的一半,该文提出了一个
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