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2020年4月6日 · 一、瓷介电容器（CC） 1.结构 用陶瓷材料作介质,在陶瓷表面涂覆一层金属（银）薄膜,再经高温烧结后作为电极而成。瓷介电容器又分 1 类电介质（NPO、CCG） ）；2 类电介质（X7R、2X1
了解更多2019年8月22日 · 陶瓷电容器 主要分为高压陶瓷电容器、多层陶瓷电容器、半导体陶瓷电容器这三种类别。 一、高压陶瓷电容器. 高压陶瓷电容器的瓷料主要有钛酸钡基和钛酸锶基两大类。 钛酸钡基陶瓷材料具有介电系数高、交流耐压特性较好的优点,但也有电容变化率随介质温度升高、绝缘电阻下降等缺点。 钛酸锶晶体的居里温度为-250℃,在常温下为立方晶系钙钛矿结构,是顺电
了解更多2020年4月21日 · 1类瓷介电容器具有温度系数小、稳定性高、损耗低、耐压高等优点。 最高大容量不超过1 000 pF,常用的有CC1、 CC2 、CC18A、CC11、CCG等系列。 2、3类瓷介电容器其特点是材料的介电系数高,容量大（最高大可达0.47 μF)、体积小 、 损耗和绝缘 性能 较1类的差。 3.用途. 1类电容主要应用于高频电路中。 2、3类广泛应用于中、低频电路中作隔直、耦合、旁路
了解更多2020年4月18日 · 瓷介电容器又分 1 类电介质（NPO、CCG）；2 类电介质（X7R、2X1）和 3 类电介质（Y5V、2F4）瓷介电容器。 1类瓷介电容器具有温度系数小、稳定性高、损耗低、耐压高等优点。 最高大容量不超过1 000 pF,常用的有CC1、 CC2 、CC18A、CC11、CCG等系列。 2、3类瓷介电容器其特点是材料的介电系数高,容量大（最高大可达0.47 μF)、体积小 、 损耗和绝缘性
了解更多2024年11月16日 · 1类瓷介电容器具有温度系数小、稳定性高、损耗低、耐压高等优点。 最高大容量不超过1 000 pF,常用的有CC1、 CC2 、CC18A、CC11、CCG等系列。 2、3类瓷介电容器其特点是材料的介电系数高,容量大（最高大可达0.47 μF)、体积小 、 损耗和绝缘 性能 较1类的差。 3.用途. 1类电容主要应用于高频电路中。 2、3类广泛应用于中、低频电路中作隔直、耦合、旁路
了解更多2022年2月18日 · 瓷介电容器又分为1类电介质（NPO、CCG）、2类电介质（X7R、2X1）和3类电介质（Y5V、2F4）瓷介电容器。 1类瓷介电容器具有温度系数小、稳定性高、损耗低、耐压高等优点。 最高大容量不超过1 000 pF,常用的有CC1、 CC2 、CC18A、CC11、CCG等系列。 2、3类瓷介电容器其特点是材 料的介电系数高,容量大（最高大可达0.47 μF)、体积小 、 损耗和绝缘性
了解更多2022年9月3日 · 1、 类瓷介电容器具有温度系数小、稳定性高、损耗低、耐压高等优点。 最高大容量不超过1 000 pF,常用的有CC1、 CC2 、CC18A、CC11、CCG等系列。 2、3 类瓷介电容器其特点是材 料的介电系数高,容量大（最高大可达0.47 μF)、体积小 、 损耗和绝缘性能较 1 类的差。
了解更多2024年2月21日 · 瓷介电容器又分 1 类电介质（NPO、CCG）；2 类电介质（X7R、2X1）和 3 类电介质（Y5V、2F4）瓷介电容器。 1、 类瓷介电容器具有温度系数小、稳定性高、损耗低、耐压高等优点。 最高大容量不超过1 000 pF,常用的有CC1、 CC2 、CC18A、CC11、CCG等系列。 2、3 类瓷介电容器其特点是材 料的介电系数高,容量大（最高大可达0.47 μF)、体积小 、 损耗和绝
了解更多2022年7月28日 · 瓷介电容器又分为1类电介质（NPO、CCG）、2类电介质（X7R、2X1）和3类电介质（Y5V、2F4）瓷介电容器。 1类瓷介电容器具有温度系数小、稳定性高、损耗低、耐压高等优点。 最高大容量不超过1 000 pF,常用的有CC1、 CC2 、CC18A、CC11、CCG等系列。 2、3类瓷介电容器其特点是材 料的介电系数高,容量大（最高大可达0.47 μF)、体积小 、 损耗和绝缘性
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